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本文推荐一款新洁能生产的逆导型IGBT：NCE15ER135LP。这是一款1350V、TO-3P封装、100℃下额定电流15A的产品。

该产品采用第七代微沟槽场截止技术型设计，此结构可大幅度提高器件的元胞结构密度。通过优化载流子存储设计，以及增加多梯度缓冲层设计、超薄漂移区工艺技术，更大幅度提升器件的电流密度。同时通过引入多梯度背面缓冲层设计，优化器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。

我们将该产品的基本参数，与国内厂商的一款普通IGBT产品，进行实测对比。

详细数据如下：

从测试数据来看，NCE15ER135LP样品BV耐压高于竞品，NCE15ER135LP样品的饱和压降VCE(sat)、二极管正向导通压降VF均低于竞品。

NCE15ER135LP除本文测试对比的TO-3P封装外，该规格产品还可以提供TO-247、TO-263、TO-220等多种封装外形。该产品所在的逆导IGBT（RC-IGBT）系列还有不同电流规格产品可供选择。

产品优势

○ Tj(max) =175℃

○ 低VCE(sat)，高开关速度

○ 100%通过可靠性考核，以及更严苛的HV-○ H3TRB考核

○ 成本更低

○ 开关动态尖峰电压Vcepeak更低

应用领域

○ 智能家居

○ 微波炉

○ 电磁炉

○ 软开关

命名规则

针对不同应用领域的特点，新洁能第七代IGBT开发了多个产品系列。第七代IGBT产品系列包含400V、650V、750V、1000V、1200V、1350V、1700V等七个电压平台，在产品选用时可参考下图。其中本文介绍的NCE15ER135LP 就是图中R系列产品之一。